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我是教師
西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)成功突破柔性高性能GaN半導(dǎo)體外延材料與器件制備技術(shù)

近日,西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧?kù)o副教授在柔性高性能GaN半導(dǎo)體外延材料與器件制備技術(shù)方面的研究取得了突破性進(jìn)展,其研究成果分別發(fā)表在《Small》《ACS Applied Materials & Interfaces》和《ACS Applied Nano Materials》等高水平期刊,并在《Small》及《ACS Applied Nano Materials》期刊上作為封面文章被突出介紹。

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《Small》《ACS Applied Nano Materials》封面文章

柔性電子是指經(jīng)扭曲、折疊、拉伸等形狀變化后仍保持原有性能的電子系統(tǒng),可用作可穿戴設(shè)備、電子皮膚、柔性顯示屏等,具有重大應(yīng)用前景,被阿里巴巴達(dá)摩院列為2021十大科技趨勢(shì)之一。柔性電子發(fā)展的主要瓶頸在于材料,然而當(dāng)前的柔性材料或者由于“柔性”不足容易失效,或者電性能上不如“剛性”半導(dǎo)體。目前主要采用的柔性電子材料主要是有機(jī)材料、二維材料等。如何使傳統(tǒng)半導(dǎo)體如第三代半導(dǎo)體氮化鎵具備柔性同時(shí)保持高性能,是當(dāng)前國(guó)際前沿?zé)狳c(diǎn)問(wèn)題。

針對(duì)以上難題,郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧?kù)o副教授通過(guò)對(duì)二維材料基底上氮化鎵薄膜的范德華外延生長(zhǎng)技術(shù)開(kāi)展深入研究,提出磁控濺射氮化鋁/石墨烯復(fù)合基底以及氧等離子輔助圖形化等新型生長(zhǎng)方法,產(chǎn)出了高質(zhì)量大面積的柔性氮化鎵半導(dǎo)體薄膜制備、高亮度柔性氮化鎵發(fā)光二極管以及柔性自變壓?jiǎn)纹尚畔鬏斚到y(tǒng)等系列創(chuàng)新成果。

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柔性自變壓?jiǎn)纹尚畔鬏斚到y(tǒng)

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柔性氮化鎵外延材料生長(zhǎng)機(jī)理與方法

                                                                                                         (文/程 珺 廉姝潔)

論文信息:

(1)Yanqing Jia, Haibin Guo, Jing Ning *, Jincheng Zhang *, Dong Wang, Boyu Wang, Haidi Wu, Xue Shen, Chi Zhang, Yue Hao, Flexible high-stability self-variable-voltage monolithic integrated system achieved by high-brightness LED for information transmission, Small, 2021, DOI:10.1002/smll.202105207

(2)Yanqing Jia, Jing Ning*, Jincheng Zhang*, Boyu Wang, Chaochao Yan, Yu Zeng, Haidi Wu, Yachao Zhang, Xue Shen, Chi Zhang, Haibin Guo, Dong Wang, Yue Hao, High-Quality Transferred GaN-Based Light-Emitting Diodes through Oxygen-Assisted Plasma Patterning of Graphene, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021,13(27)

(3)Jing Ning*, Chaochao Yan, Yanqing Jia, Boyu Wang, Haibin Guo, Jincheng Zhang, Dong Wang, Yu Zeng, Yue Hao, GaN Films Deposited on Sapphire Substates Sputter-Coated with AlN Followed by Monolayer Graphene for Solid-State Lighting, ACS Applied Nano Materials, 2020, 3, 6, 5061–5069

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